Znanstvenici razvili tranzistor koji može raditi na temperaturi od 600 °C

Istraživači sa Sveučilišta Kyoto razvili su tranzistor od silicijeva karbida koji stabilno radi na temperaturi od 600 °C. Posebno je važno što se može proizvoditi ionskom implantacijom, postupkom koji se već standardno koristi u industriji poluvodiča. Istraživački tim sa Sveučilišta Kyoto razvio je novu vrstu tranzistora od silicijeva karbida (SiC) sposobnu za stabilan rad na […] Znanstvenici razvili tranzistor koji može raditi na temperaturi od 600 °C first appeared on PC CHIP.